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芯片的制作流程詳解 集成電路和芯片有什么區(qū)別

摘要:我們知道芯片對(duì)一個(gè)國(guó)家的科技具有重大的作用,尤其是現(xiàn)在人工智能和大數(shù)據(jù)的發(fā)展更是離不開強(qiáng)有力的運(yùn)算芯片。我們雖然都知道芯片,但是你知道它是如何制造出來的嗎?下面就從濕洗、光刻、離子注入、蝕刻、等離子沖洗、電鍍處理等14個(gè)步驟一起來詳細(xì)了解下吧。

芯片制作流程

1、濕洗

用各種試劑保持硅晶圓表面沒有雜質(zhì)。

2、光刻

用紫外線透過蒙版照射硅晶圓,被照到的地方就會(huì)容易被洗掉,沒被照到的地方就保持原樣. 于是就可以在硅晶圓上面刻出想要的圖案. 注意,此時(shí)還沒有加入雜質(zhì),依然是一個(gè)硅晶圓。

3、 離子注入

在硅晶圓不同的位置加入不同的雜質(zhì),不同雜質(zhì)根據(jù)濃度/位置的不同就組成了場(chǎng)效應(yīng)管。

4、蝕刻

(1)干蝕刻 :之前用光刻出來的形狀有許多其實(shí)不是我們需要的,而是為了離子注入而蝕刻的?,F(xiàn)在就要用等離子體把他們洗掉,或者是一些第一步光刻先不需要刻出來的結(jié)構(gòu),這一步進(jìn)行蝕刻。

(2)濕蝕刻 :進(jìn)一步洗掉,但是用的是試劑,所以叫濕蝕刻。以上步驟完成后,場(chǎng)效應(yīng)管就已經(jīng)被做出來啦,但是以上步驟一般都不止做一次,很可能需要反反復(fù)復(fù)的做,以達(dá)到要求。

5、等離子沖洗

用較弱的等離子束轟擊整個(gè)芯片。

6、熱處理

(1)快速熱退火:就是瞬間把整個(gè)片子通過大功率燈啥的照到1200攝氏度以上,然后慢慢地冷卻下來,為了使得注入的離子能更好的被啟動(dòng)以及熱氧化。

(2)退火。

(3)熱氧化 :制造出二氧化硅,也即場(chǎng)效應(yīng)管的柵極(gate) 。

7、化學(xué)氣相淀積

進(jìn)一步精細(xì)處理表面的各種物質(zhì)。

8、物理氣相淀積

類似,而且可以給敏感部件加coating。

9、分子束外延

如果需要長(zhǎng)單晶的話就需要。

10、電鍍處理

11、化學(xué)/機(jī)械表面處理

12、晶圓測(cè)試

13、晶圓打磨

14、出廠封裝

芯片和集成電路的區(qū)別

1、定義不同

(1)集成電路是指組成電路的有源器件、無源元件及其互連一起制作在半導(dǎo)體襯底上或絕緣基片上,形成結(jié)構(gòu)上緊密聯(lián)系的、內(nèi)部相關(guān)的事例電子電路。它可分為半導(dǎo)體集成電路、膜集成電路、混合集成電路三個(gè)主要分支。

(2)芯片就是半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱,是集成電路的載體,由晶圓分割而成。

2、范圍不同

(1)芯片就是芯片,一般是指你肉眼能夠看到的長(zhǎng)滿了很多小腳的或者腳看不到,但是很明顯的方形的那塊東西。不過,芯片也包括各種各樣的芯片,比如基帶的、電壓轉(zhuǎn)換的等等。

(2)集成電路范圍要廣多了,把一些電阻電容二極管集成到一起就算是集成電路了,可能是一塊模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換的芯片,也可能是一塊邏輯控制的芯片,但是總得來說,這個(gè)概念更加偏向于底層的東西。

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