著錄信息
- 專利名稱：多晶壓力傳感器芯片及其制備方法
- 專利類型：發(fā)明
- 申請(qǐng)?zhí)枺?/em>CN201210177498.X
- 公開(公告)號(hào)：CN103454033B
- 申請(qǐng)日：20120601
- 公開(公告)日：20160706
- 申請(qǐng)人：無(wú)錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司
- 發(fā)明人：陳思奇,朱琳,王榮華
- 申請(qǐng)人地址：江蘇省無(wú)錫市無(wú)錫市國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)信息產(chǎn)業(yè)科技園C座2樓
- 申請(qǐng)人區(qū)域代碼：CN320211
- 專利權(quán)人：無(wú)錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司
- 洛迦諾分類：無(wú)
- IPC：G01L9/06,G01L19/04
- 優(yōu)先權(quán)：無(wú)
- 專利代理機(jī)構(gòu)：中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
- 代理人：杜娟娟;王忠忠
- 審查員：管士濤
- 國(guó)際申請(qǐng)：無(wú)
- 國(guó)際公開(公告)：無(wú)
- 進(jìn)入國(guó)家日期：無(wú)
- 分案申請(qǐng)：無(wú)
關(guān)鍵詞
壓力傳感器芯片,補(bǔ)償元件,電壓漂移,內(nèi)部設(shè)置,多晶,芯片,壓力傳感器電路,傳感器電路,補(bǔ)償能力,電性連接,有壓力,制備
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