著錄信息
- 專利名稱：一種在樹脂基片使用磁控濺射制備ITO膜的方法
- 專利類型：發(fā)明
- 申請(qǐng)?zhí)枺?/em>CN201110295242.4
- 公開(公告)號(hào)：CN102312208B
- 申請(qǐng)日：20110930
- 公開(公告)日：20121219
- 申請(qǐng)人：蕪湖長(zhǎng)信科技股份有限公司
- 發(fā)明人：許沭華,夏大映,張兵,何晏兵,孔德興,康傲飛
- 申請(qǐng)人地址：安徽省蕪湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)汽經(jīng)二路以東
- 申請(qǐng)人區(qū)域代碼：CN340207
- 專利權(quán)人：蕪湖長(zhǎng)信科技股份有限公司
- 洛迦諾分類：無(wú)
- IPC：C23C14/35,C23C14/06
- 優(yōu)先權(quán)：無(wú)
- 專利代理機(jī)構(gòu)：蕪湖安匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107
- 代理人：張小虹
- 審查員：趙妍妍
- 國(guó)際申請(qǐng)：無(wú)
- 國(guó)際公開(公告)：無(wú)
- 進(jìn)入國(guó)家日期：無(wú)
- 分案申請(qǐng)：無(wú)
關(guān)鍵詞
樹脂基片,磁控濺射,電阻率,運(yùn)送,冷卻,磁控濺射設(shè)備,化學(xué)穩(wěn)定性,陰極直流電,高透過(guò)率,基片加熱,抽真空,垂直式,電阻值,加熱室,濺射室,均勻性,冷卻室,膜沉積,電阻,鍍膜,濺射,卸載,密封,裝載
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