著錄信息
- 專利名稱：雙柵MOS結(jié)構(gòu)的功率晶體管
- 專利類型：實用新型
- 申請?zhí)枺?/em>CN201420134117.4
- 公開(公告)號：CN203774335U
- 申請日：20140324
- 公開(公告)日：20140813
- 申請人：江蘇宏微科技股份有限公司
- 發(fā)明人：張景超,戚麗娜,劉利峰,王曉寶,趙善麒
- 申請人地址：213022 江蘇省常州市新北區(qū)華山中路18號
- 申請人區(qū)域代碼：CN320411
- 專利權(quán)人：江蘇宏微科技股份有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L29/78,H01L29/423,H01L21/336,H01L21/28
- 優(yōu)先權(quán)：無
- 專利代理機構(gòu)：常州市維益專利事務(wù)所 32211
- 代理人：賈海芬
- 審查員：無
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關(guān)鍵詞
多晶硅柵,摻雜,絕緣介質(zhì)層,柵氧化層,多晶硅,有源,最佳性能狀態(tài),功率晶體管,電流溝道,焊接區(qū)域,金屬引線,金屬層,引線孔,連接,雙柵,隔離,分割,延伸
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